華太Huatai
華太RF產品線覆蓋移動通信基站、手持通信、航空航天、工業設備與儀器等多種應用，構成了從低頻（30MHz）到高頻（6GHz）,從低功率（0.1W）到高功率（1000W），從低電壓（3.6V）到高電壓（50V），效率高，可靠性好的較為完整的產品線，可以滿足大部分雷達、通信基站、航天航空、工業設備與儀器等領域的應用需要。
產品詳情
通信基站
華太RF LDMOS產品廣泛應用于移動通信基站、直放站行業領域，打破了國外公司功率管的壟斷地位，提升了我國通信領域核心產品競爭力和產業鏈的完整性和安全性。 華太研發的GSM 900MHz 140W 產品、TDD-LTE 1880MHz-2025MHz 120W、700MHz-2700MHz 10W等產品已經在國際一線通信設備公司量產，性能與國際同行相當，實現了通信基站領域RF LDMOS的國產化突破。
AD9375數字預失真+華太（HTN7G21P160H）測試報告已發布在ADI官網，請點擊
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | P1dB (dBm) | Gain (dB) | Pavg (dBm) | Test Freq (MHz) | 目標應用 | Package | Process |
| HTA50P3 | 1800-5000 | 5 | 25 | 29 | 14 | 2600 | 寬帶驅動,5G微站，天線系統 | QFN3×3 | GaAs |
| HTN8G38S004P | 700-3800 | 28 | 36 | 19 | 25 | 2600 | 便攜設備，5G微站 | DFN3×3 | LDMOS |
| HTN7G38S007P | 700-3800 | 28 | 38 | 14.2 | 28 | 3400 | 便攜設備，5G微站 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S015P | 700-2700 | 28 | 41 | 20 | 30 | 2600 | 便攜設備，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G36S015P | 3300-4200 | 28 | 41 | 17 | 30 | 3500 | 便攜設備，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S020P | 700-2700 | 28 | 44 | 17 | 34 | 2600 | MDAS,5G驅動 | TO270 | LDMOS |
| HTN8G27P040P | 2500-2700 | 28 | 46 | 20 | 37 | 2600 | 64T MIMO,5G驅動 | DFN7.5×5 | LDMOS |
| HTH1D27P120H | 2500-2700 | 48 | 51(P3) | 16 | 41.4 | 2600 | 32T MIMO | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH1D36P120H | 3400-3600 | 48 | 51(P3) | 14 | 41.4 | 3500 | 32T MIMO | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH8G09P550H | 700-821 | 48 | 57.4（P5） | 22 | 49.3 | 778 | 60W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G09P350H | 700-821 | 48 | 55.7(P3) | 22 | 47.3 | 778 | 30W/40W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH1D27P450H | 2500-2700 | 48 | 56.5(P5) | 15 | 47.4 | 2600 | 30W/40W基站 | H2110S-4L | GaN |
| HTH1D36P450H | 3400-3600 | 48 | 56.2(P5) | 14 | 47.4 | 3500 | 30W/40W基站 | H2110S-4L | GaN |
| HTN7G27S010P | 700-2700 | 28 | 41 | 19.1 | 31 | 2140 | MDAS,直放站驅動 | PDFN6×5 | LDMOS |
| HTN7G27S020PG | 700~2700 | 28 | 44 | 14.1 | 34 | 2655 | MDAS,直放站驅動 | TO270-A | LDMOS |
| HTN7G21S040P/PG | 700-2100 | 28 | 46 | 16.1 | 36 | 1840 | 直放站28V/北斗12V | TO270-A | LDMOS |
| HTN7G09S060P | 700~960 | 28 | 49 | 21.8 | 39 | 940 | GSM干放，專網 | TO270 | LDMOS |
| HTN7G09S120P | 700~960 | 28 | 50 | 22.1 | 40.5 | 881 | 電子圍欄，直放站 | TO270 | LDMOS |
| HTH7G14S150H | 1.8~1400 | 50 | 51.5 | 21.5 | 42 | 860 | 廣播，直放站 | H0906 | LDMOS |
| HTN7G21P160H | 1805~2170 | 28 | 52 | 16.7 | 44.8 | 1960 | 電子圍欄，光纖直放站 | H2110S-6L | LDMOS |
| HTN7G21S160H | 1805~2170 | 28 | 52 | 17.3 | 42 | 1840 | 電子圍欄，光纖直放站 | H2110S-6L | LDMOS |
| HTN7G15P180H | 1300~1500 | 28 | 52.5 | 19 | 45 | 1457 | 專網，軍用 | H2110S-4L | LDMOS |
5G小基站-MMIC
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | DE （%） | Gain (dB) | Pavg (dBm) | Test Freq (MHz) | 目標應用 | Package | Process |
| H8G0708M06P | 728-821 | 28 | 45 | 19 | 27.5 | 775 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G0810M06P | 869-960 | 28 | 45 | 19 | 27.5 | 915 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G1819M10P | 1805-1880 | 28 | 43 | 28 | 31 | 1840 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G1920M10P | 1880-2025 | 28 | 43 | 28 | 31 | 1950 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2022M10P | 2110-2170 | 28 | 43 | 27 | 31 | 2140 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2324M10P | 2300-2400 | 28 | 41 | 27 | 31 | 2350 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2527M10P | 2500-2700 | 28 | 40 | 26 | 31 | 2595 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3336M12P | 3300-3600 | 28 | 35 | 33 | 32 | 3450 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3638M12P | 3600-3800 | 28 | 33 | 33 | 32 | 3700 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H9G4850M12P | 4800-5000 | 28 | 30 | 30 | 31 | 4900 | 寬帶驅動,5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
華太公司充分利用在大功率、高頻率RF LDMOS產品積累的技術優勢，開拓了應用于移動無線電產品的RF LDMOS產品，包括應用于5W，2W手持對講機的RF LDMOS末級和驅動芯片，以及應用于車載臺、海事臺等專業領域的RF LDMOS芯片。
| Part Num. | Min. Freq（MHz） | Max. Freq （MHz） | VDD (V) | DE （%） | Gain (dB) | Psat （W） | 目標應用 | Package | Process |
| HTU7G06S0P5P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 70/73 | 10/14 | 0.7/1.5 | 0.5W機，5W/10W機推動 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S0P6P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 67/67 | 10/14 | 0.7/1.5 | 2W/5W機推動 | SOT23 | LDMOS |
| HTU7G06S001P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 65/65 | 10/14 | 1.3/3.2 | 1W機 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S002P | 100 | 1000 | 3.6 | 61 | 14 | 2.6 | 2W機 | SOT89 | LDMOS |
| HTL7G06S006P | 100 | 1000 | 7.2 | 61 | 13 | 6 | 5W機 | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S009P | 100 | 1000 | 7.2/8.4 | 60 | 12 | 8/9 | 7W模擬機，4W數字機 | SOT89 | LDMOS |
| HTL7G06S004P | 100 | 1000 | 3.6 | 60 | 12 | 4 | 3W機 | PDFN3×3 | LDMOS |
| HTL7G06S005P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 11 | 5 | 3W機 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTU7G06S007P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 10 | 7 | 單電池5W機 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTL7G06S011P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 60/60 | 10/12 | 5/11 | 單電池3W/雙電池10W機 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTM7G06S035P | 100 | 1000 | 12.5 | 61 | 15 | 38 | 車臺，軍工電臺，應急廣播 | TO-270 | LDMOS |
華太完整高效的RF LDMOS設計開發團隊，掌握了眾多核心技術，并深度整合了供應鏈上下游，能夠為工業、科學、醫療行業客戶的特殊應用開發具有針對性的RF LDMOS產品，滿足各類特殊的應用需求。
| Part Num. | Freq (MHz) | VDD (V) | DE (%) | Gain (dB) | P1dB (W) | Test Freq (MHz) | 目標應用 | Package | Process |
| HT647PL | 30-512 | 28 | 67.9 | 23.3 | 200 | CW@450 | 專網，軍用 | H2110S-4L | LDMOS |
| HT647P | 600-1500 | 28 | 59 | 19.7 | 200 | CW@1350 | 專網，軍用 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH7G14S150H | 1.8~1400 | 50 | 56 | 21.5 | 158 | Pulse@860 | 廣播，直放站 | H0906 | LDMOS |
| HTH7G06P300H | 1.8-600 | 50 | 64 | 20.8 | 430(P3dB) | Pulse@435 | 廣播，雷達，通信 | H2110S-4L | LDMOS |
| HT20340S | 1.8-300 | 50 | 80 | 28 | 400(P3dB) | CW@ 40 | 射頻能量，工業 | TO247 | LDMOS |
| HTH7G06P500H | 1.8-600 | 50 | 60 | 24.6 | 588(P3dB) | Pulse@435 | 廣播，雷達，通信 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P800H | 470-700 | 50 | 47 | 18 | 800 | DVB-T | 廣播 | H3210-4L | LDMOS |
| HTH8G07P1K0H | 470-700 | 50 | 48 | 18 | 1000 | DVB-T | 廣播 | H3210-4L | LDMOS |
| HTH8G03P1K8H | 1.8-200 | 50 | 72 | 28 | 1800 | CW@60 | 廣播，專網，工業醫療 | H3210S-4L | LDMOS |
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